[发明专利]穿透硅通孔结构的形成方法以及集成电路制造方法

摘要

本发明提供一种穿透硅通孔结构的形成方法以及集成电路制造方法，实质上是一种中通孔型（Via‑Middle）制作方案，在集成电路制造前道工艺的半导体器件制作完成之后、集成电路制造后道金属互连工艺之前，不立即进行接触孔和堆叠标记的制作工艺，而是改为先进行所述穿透硅通孔结构的形成工艺，当穿透硅通孔结构制作完成之后，再进行接触孔和堆叠标记的制作工艺，未增加掩膜版数目，而且形成的互连金属层的表面沿堆叠标记沟槽凹陷，光信号增强，可以获得清晰明确的堆叠标记对准图像，从而提高集成电路制造的良率。

主权项

一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，采用集成电路前道制造工艺在所述半导体衬底的器件区形成半导体器件；在所述半导体衬底和半导体器件表面上依次形成层间介质层和阻挡层；在所述半导体衬底、其上方的层间介质层及阻挡层中形成穿透硅通孔结构，所述穿透硅通孔结构包括铜及隔离层，所述隔离层将所述铜与所述阻挡层、层间介质层及半导体衬底隔离，所述隔离层还位于所述阻挡层上方；去除所述阻挡层上方的用于形成穿透硅通孔结构的隔离层；在所述阻挡层和穿透硅通孔结构上方形成盖层；依次刻蚀所述半导体器件上方以及堆叠标记区的半导体衬底上方的盖层、阻挡层和层间介质层，形成接触孔和堆叠标记沟槽；在所述接触孔和堆叠标记沟槽中填充导电材料，形成接触孔结构和堆叠标记结构，所述堆叠标记结构位于所述堆叠标记沟槽的底部和侧壁；去除所述盖层，采用集成电路后道金属互连工艺在所述阻挡层、接触孔结构和堆叠标记结构上方形成互连金属层，所述互连金属层表面沿堆叠标记沟槽凹陷，且与堆叠标记沟槽之间形成空隙或空腔。