[发明专利]磁记录介质的制造方法及装置在审

专利信息
申请号: 201310438547.5 申请日: 2013-09-24
公开(公告)号: CN103714831A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 茑谷泰之;盐见大介;上野谕 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/72 分类号: G11B5/72;G11B5/66;G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘瑞东;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种磁记录介质的制造方法及装置。该制造方法是在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层的磁记录介质的制造方法,其中,将由成膜装置形成了保护层后的被积层体不与大气接触地封入移送容器单元内;将移送容器单元搬送至汽相润滑成膜装置;将被封入了移送容器单元内的被积层体不与大气接触地从移送容器单元内取出,并在汽相润滑成膜装置内采用汽相润滑成膜方法在被积层体上形成润滑层。
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 装置
【主权项】:
一种磁记录介质的制造方法,在被积层体上依次形成磁记录层、保护层、及润滑层,其中:将由成膜装置形成了所述保护层后的所述被积层体不与大气接触地封入移送容器单元内;将所述移送容器单元搬送至汽相润滑成膜装置;及将被封入了所述移送容器单元内的所述被积层体不与大气接触地从所述移送容器单元内取出,并在所述汽相润滑成膜装置内采用汽相润滑成膜方法在所述被积层体上形成所述润滑层。
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