[发明专利]一种在透射电镜中通过电子束诱导液相沉积制备SiCx纳米材料的方法有效

专利信息
申请号: 201310436483.5 申请日: 2013-09-23
公开(公告)号: CN103498133A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 陈新;缪晓莉 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种在透射电镜中通过电子束诱导液相沉积(LP-EBID)制备SiCx多元素纳米材料的方法。将SiCl4在有机溶剂中的溶液作为液体前驱体装载到液体样品池内,然后,聚焦电子束轰击前驱体,前驱体分解,使得多元素SiCx纳米材料在Si3N4薄膜窗口上进行可控沉积。透射电镜具有很高的原位空间成像分辨率,可对材料的电子束诱导沉积(EBID)过程进行原位监控观察。此外,本发明可用于可控制备不同形状、多元素的纳米材料,以及用于制备纳米器件的核心材料。
搜索关键词: 一种 透射 电镜中 通过 电子束 诱导 沉积 制备 sicx 纳米 材料 方法
【主权项】:
一种在透射电镜中通过电子束诱导液相沉积可控制备SiCx纳米材料的方法。
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