[发明专利]一种单向高压可控硅在审
| 申请号： | 201310435186.9 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465738A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王国新 | 申请（专利权）人： | 无锡市宏矽电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 曾少丽 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种单向高压可控硅，包括P型阳极区，所述P型阳极区上表面形成有N型长基区，所述P型阳极区下表面形成有阳电极；所述N型长基区上表面形成有P型短基区；所述P型短基区上表面局部依次形成有2个N+型发射区和3个N-型发射区，并且局部还设置有门级电极；所述N+型发射区和N-型发射区上表面设置有阳级电极；所述N型长基区和P型短基区上设置有内沟槽，所述内沟槽布置在所述门级电极、N+型发射区、N-型发射区和阳级电极的外围上。本发明的可控硅能在高电压、大电流条件下工作，其具有耐高压、容量大、体积小的特点。可广泛应用于漏电保护，固态继电器，家电控制器等众多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 高压 可控硅 | ||
【主权项】：
一种单向高压可控硅，其特征在于，包括P型阳极区（2），所述P型阳极区（2）上表面形成有N型长基区（3），所述P型阳极区（2）下表面形成有阳电极（1）；所述N型长基区（3）上表面形成有P型短基区（6）；所述P型短基区（6）上表面局部依次形成有2个N+型发射区（8）和3个N‑型发射区（9），并且局部还设置有门级电极（7）；所述N+型发射区（8）和N‑型发射区（9）上表面设置有阳级电极（10）；所述N型长基区（3）和P型短基区（6）上设置有内沟槽（5），所述内沟槽（5）布置在所述门级电极（7）、N+型发射区（8）、N‑型发射区（9）和阳级电极（10）的外围上。
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