[发明专利]一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310433449.2 申请日: 2013-09-18
公开(公告)号: CN103469157A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 吴爱民;周徐洋;董闯 申请(专利权)人: 大连理工常州研究院有限公司
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/16;C23C14/34
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 侯明远
地址: 213164 江苏省常州市武进区常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法,属于新材料领域。在稳定非晶结构的团簇加连接原子模型的指导下,综合考虑了混合焓、团簇结构等因素,确定薄膜成分的原子百分比为(at.%),B:75-90;C:5-12.5;Mg:5-12.5时可以形成具有良好综合性能的非晶基薄膜。材料性能指标为:薄膜硬度为H=24-34GPa;杨氏模量为E=240-325GPa;断裂韧性KIC=1.2-3MPa*m1/2;摩擦系数为COF=0.05-0.3。本发明的效果和益处是在较大成分容忍度范围内制备结构均匀、各向同性的高硬、高韧、低摩擦系数非晶薄膜材料,可以作为理想的保护涂层材料,在微机电、刀模具或表面加工行业具有潜在的应用前景。
搜索关键词: 一种 非晶基 mg 三元 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种非晶基B‑C‑Mg三元薄膜,其特征在于:它包含B、C、Mg,其薄膜成分的原子百分比为(at.%),B:75‑90;C:5‑12.5;Mg:5‑12.5。
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