[发明专利]一种非晶基B-C-Mg三元薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310433449.2 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103469157A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴爱民;周徐洋;董闯 | 申请（专利权）人： | 大连理工常州研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市武进区常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶基 mg 三元 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶基B-C-Mg三元薄膜，其特征在于：它包含B、C、Mg，其薄膜成分的原子百分比为（at.%），B：75-90；C：5-12.5；Mg：5-12.5。
2.一种非晶基B-C-Mg三元薄膜的制备方法，其特征在于下列步骤：
①衬底清洗：选择Si基片为实施例衬底材料，将衬底先经过丙酮、酒精和去离子水超声波清洗，然后放入5%的HF中浸泡1-2分钟，采用吹气球吹干后放入真空室；
②磁控溅射设备抽取真空：选择纯度为99.9%的石墨、纯度为99.9%的镁和纯度为99.9%的非晶硼做为溅射靶材，靶材和基片都放入真空室后，机械泵粗抽真空至5Pa以下，然后采用分子泵进行精抽真空，真空度抽至8.0×10-4Pa；
③真空度达到所需要的高真空后，充入氩气与氢气混合气体至适当气压，让靶材起辉，然后调节氩气流量到4.0sccm，氢气流量到4.0sccm，工作气压调至0.5Pa，硼靶为射频溅射，功率为300-600W，碳靶也为射频溅射，功率为100-120W，镁靶为直流溅射，功率为10-15W，靶基距为8-12cm，预溅射时间为20分钟；
④预溅射之后，停止通入氢气，将氩气流量调节到8.0sccm，并移开溅射挡板，开始溅射沉积薄膜，溅射时间为120min，溅射完毕后，设备冷却至30-60℃，取出三元B薄膜样品。
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