[发明专利]半导体器件及形成方法

摘要

一种半导体器件及形成方法，所述半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底内的体区和漂移区；位于所述体区内的体区连接区和源区；位于所述漂移区内的漏区和第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构位于所述漏区和体区之间，所述第一浅沟槽隔离结构的底部为阶梯状且相邻阶梯的深度不相同；位于所述半导体衬底表面且横跨所述体区和漂移区边缘的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一浅沟槽隔离结构表面。所述半导体器件可以在不降低耐压能力的情况下降低漂移区的导通电阻，提高漂移区的导通电流。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成体区和漂移区；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层具有若干平行排列的开口，所述开口的位置对应于漂移区的位置，且相邻开口的宽度不相同；以所述掩膜层为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀，形成若干平行排列的沟槽，且相邻沟槽的深度不相同；利用氧化工艺使得不同沟槽之间的半导体衬底被完全氧化；在所述沟槽内填充满电介质材料，形成底部为阶梯状的第一浅沟槽隔离结构；在所述体区内形成体区连接区和源区，在所述漂移区内且位于第一浅沟槽隔离结构远离体区的一侧形成漏区；在所述半导体衬底表面形成横跨所述体区和漂移区边缘的栅极结构，且所述栅极结构覆盖部分第一浅沟槽隔离结构表面。