[发明专利]一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法有效
| 申请号： | 201310419865.7 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103456685A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 宋崇申;张文奇;顾海洋 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，包括以下步骤：对已经完成TSV电镀填充的衬底，采用机械刮平的方式处理衬底表面，消除表面金属层的凸出或凹坑；采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄衬底表面金属层；光刻获得第一层再布线层图形，并以衬底表面剩余金属层为种子层，电镀获得再布线金属层；去除光刻胶，并腐蚀去除衬底表面金属层和扩散阻挡层，完成第一层再布线层的制造。优点是：在电镀填充后，采用机械刮平的方式处理表面，而后再减薄表面铜层，保留一层连续的薄铜层，作为后续第一层RDL加工的电镀种子层，避免了CMP工艺并节省了再次的扩散阻挡层、种子层沉积工艺，可大大降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 cmp tsv 一层 布线 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种不需使用CMP的TSV与第一层再布线层的制造方法，其特征是，包括以下步骤：第一步，对已经完成TSV电镀填充的衬底，采用机械刮平的方式处理衬底表面，消除表面金属层的凸出或凹坑；第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄衬底表面金属层；第三步，光刻获得第一层再布线层图形，并以衬底表面剩余金属层为种子层，电镀获得再布线金属层；第四步，去除光刻胶，并腐蚀去除衬底表面的金属层和扩散阻挡层，完成第一层再布线层的制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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