[发明专利]电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法在审
| 申请号： | 201310414439.4 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104465490A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 傅正军;薛四十子;唐建 | 申请（专利权）人： | 建宇(上海)石油科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;E21B17/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201322 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法，其包括以下步骤：步骤一：直接在电阻率随钻铤本体上按设计位置车削开一个凹槽且在凹槽的底部开有一个半圆槽，半圆槽的半径是环形穿线孔的半径；凹槽包括第一凸起、第二凸起和焊接层，焊接层是凹槽除去第一凸起、第二凸起后的所有地方，第一凸起和第二凸起分别位于凹槽的两侧；步骤二：用凹形滚压刀滚压第一凸起和第二凸起使第一凸起和第二凸起相接，相接后和半圆槽形成环形穿线孔，相接时会形成和滚压相接线缝；步骤三：焊接滚压相接线缝使滚压相接线缝熔接，焊接预留的焊接层使焊接层与电阻率随钻铤本体熔接。本发明工艺简单，降低成本，且达到高要求的密封作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 随钻铤 环形 穿线 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤一：直接在电阻率随钻铤本体上按设计位置车削开一个凹槽且在凹槽的底部开有一个半圆槽，半圆槽的半径是环形穿线孔的半径；凹槽包括第一凸起、第二凸起和焊接层，焊接层是凹槽除去第一凸起、第二凸起后的所有地方，第一凸起和第二凸起分别位于凹槽的两侧；步骤二：用凹形滚压刀滚压第一凸起和第二凸起使第一凸起和第二凸起相接，相接后和半圆槽形成环形穿线孔，相接时会形成和滚压相接线缝； 步骤三：焊接滚压相接线缝使滚压相接线缝熔接，焊接预留的焊接层使焊接层与电阻率随钻铤本体熔接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
