[发明专利]低损耗光纤及其制造方法

摘要

本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法，涉及光纤领域，该低损耗光纤包括阶跃形波导，阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层，芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成，芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0～0.1%；深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成，深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%～0.28%；芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布，应力系数的绝对值范围在0.005～0.015之间；基点温度从900℃～950℃逐渐上升到1150℃～1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。

主权项

一种低损耗光纤，包括阶跃形波导，其特征在于：所述阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层（1）、芯包过渡层（2）、芯包界面过渡层（3）、深掺氟包层（4）、包套过渡层（5）、包套界面过渡层（6）和套管层（7），所述芯层（1）采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成，芯层（1）的折射率为n1，芯层（1）的折射率n1与纯硅芯的折射率之间的相对折射率差为0～0.1%；深掺氟包层（4）采用纯二氧化硅深掺氟制成，深掺氟包层（4）的折射率为n2，深掺氟包层（4）的折射率n2与芯层（1）的折射率n1之间的相对折射率差为0.24%～0.28%；套管层（7）的折射率为n3，n3为常规石英光纤包层折射率，深掺氟包层（4）的厚度：芯层（1）的厚度=3～9；芯包过渡区中芯包过渡层（2）、芯包界面过渡层（3）、包套过渡层（5）、包套界面过渡层（6）的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布，芯包界面间的折射率梯度变化曲线的应力系数的绝对值范围在0.005～0.015之间；光棒沉积时的材料离子相互反应后吸附在靶棒或靶管壁时的基点温度从刚开始的900℃～950℃逐渐上升到1150℃～1200℃之间；光棒（8）经过光棒熔融区（9）、光纤成型区（10）拉制成标准尺寸的光纤（11），光棒熔融区（9）的长度为L1，光纤成型区（10）的长度为L2，L1：L2=0.05～0.5。