[发明专利]一种单芯片Z轴线性磁电阻传感器有效
| 申请号： | 201310409446.5 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103901363B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫,李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单芯片Z轴线性磁阻传感器，该传感器包括基片、磁电阻传感元件以及通量引导件，磁电阻传感元件相互电连接形成电桥的推臂和挽臂，推臂和挽臂相间隔排列，并且推、挽臂上的磁电阻传感元件分别位于通量引导件下方的两侧，各磁电阻传感元件的钉扎层的磁化方向相同，均沿X轴方向。Z轴方向的外加磁场通过通量引导件转变为X轴方向的磁场分量，位于通量引导件下方的磁电阻传感元件便能检测到此分量。该传感器具有以下优点体积小、制作简单、便于封装、灵敏度高、线性度好、工作范围宽、低偏移、温度补偿功能好以及适用于高强度磁场等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 轴线 磁电 传感器 | ||
【主权项】：
一种单芯片Z轴线性磁电阻传感器，其特征在于，该磁电阻传感器包括：沉积有电桥的基片；所述电桥由相交错排列的推臂与挽臂电连接构成；所述推臂和挽臂各自均包含有至少一个相互电连接的磁电阻传感元件, 以检测磁场在X轴方向上的分量；至少一个通量引导件，所有所述通量引导件的集合覆盖住整个所述电桥；所有所述通量引导件的长轴与Y轴平行，所有所述通量引导件的短轴与X轴平行；所述磁电阻传感元件为GMR或者TMR传感元件，所述GMR或者TMR传感元件的钉扎层的磁化方向相同；所述电桥为半桥、全桥或者准桥。
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