[发明专利]一种缓冲层的扩散方法

摘要

本发明的名称为一种缓冲层的扩散方法。属于半导体制造技术领域。它主要是解决现有离子注入加高温推进制作缓冲层存在成本较高、功效低对其他参数影响很大和较难控制的问题。它的主要特征是包括以下工艺步骤先将桶形舟、弧形舟、陪片和硅晶片清洗、烘干，再将其放入扩散管内进行通源掺杂扩散，使表面积累一层均匀的杂质原子；将其清洗烘干后，陪片与硅晶片以1片陪片和2片硅晶片叠片式排列；将其放入扩散炉管内进行高温预扩散；取出硅晶片转放在弧形舟上，放入高温扩散炉进行缓冲层推进扩散。本发明具有在现有普通工艺线能实现缓冲层扩散、成本较低、推进扩散时间短、不受杂质种类影响的特点，主要应用于功率半导体器件芯片的缓冲层扩散。

主权项

一种缓冲层的扩散方法，其特征在于包括以下工艺步骤：①先将桶形舟、弧形舟、陪片和硅晶片清洗、烘干，再将陪片插在弧形舟上，将插有陪片的弧形舟装在桶形舟底座上，将装有弧形舟的桶形舟底座及桶形舟两侧挡片、桶形舟上盖依次放入扩散管内，然后将扩散管升温至1000~1180℃，通源50~200分钟，进行通源掺杂扩散，使陪片、弧形舟和桶形舟沉积掺杂源；②将沉积掺杂源的桶形舟、弧形舟和陪片清洗、烘干，将该陪片与硅晶片以1片陪片和2片硅晶片叠片式排列依次插在弧形舟上，陪片贴合在硅晶片需扩缓冲层的表面；③把插好陪片和硅晶片的弧形舟装在桶形舟底座上，然后装上桶形舟两侧挡片、桶形舟上盖，将封闭的桶形舟放入扩散炉管内进行高温预扩散，将扩散管升温至990~1150℃，扩散时间10~200分钟，利用陪片、弧形舟和桶形舟沉积的掺杂源对硅晶片进行缓冲层预沉积扩散；④取出硅晶片，转放在弧形舟上，放入高温扩散炉进行缓冲层推进扩散，将扩散炉管温度升至1150~1250℃，扩散时间按缓冲层结深需要设置；⑤取出硅晶片，即得到功率半导体器件芯片所需的缓冲层。