[发明专利]多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法有效
申请号: | 201310399982.1 | 申请日: | 2013-09-05 |
公开(公告)号: | CN103456646A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 阎德劲;冯刚英;周宇戈 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01Q1/22 |
代理公司: | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人: | 郭纯武 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出的一种多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法,既能保证液冷循环通道不塌陷,又能解决烧结中不分层、不鼓包的制作方法。本发明通过下述技术方案予以实现:首先将若干低温共烧陶瓷生瓷片分成三个层次,分别制出定位孔、导通孔、散热孔和液冷循环通道,再将含天线单元的顶部生瓷片层进行一体化叠层为顶部单元,将含液冷循环通道的中部生瓷片层和含TR组件单元的底部生瓷片层一体化层压形成凹坑单元;把可挥发填充材料印刷到凹坑单元的凹坑内,并在凹坑单元表面上涂敷有机粘接剂,将顶部单元叠在凹坑单元上,采用低温低压方式形成整体模块。层压完毕的整体模块放入烧结炉中烧结,将液冷外部接头焊接到模块顶层表面对应的液冷进出口上。 | ||
搜索关键词: | 多层 低温 陶瓷 集成 循环 通道 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法,包括如下步骤:首先将若干低温共烧陶瓷生瓷片分成顶部生瓷片层、中部生瓷片层和底部生瓷片层,其次分别在过孔/腔体成形、填充/印刷和叠层/层压三个阶段,按以下顺序:在上述各层低温共烧陶瓷生瓷片层上,按照电路设计,制出并填充可挥发性浆料的导通孔和散热孔、定位孔和液冷循环通道,以及用电阻浆料在生瓷片表面印刷的导体线条和电路图形;然后将含天线单元的顶部生瓷片层进行一体化层压,叠层形成顶部单元,将含液冷循环通道的中部生瓷片层和含TR组件单元的底部生瓷片层进行定位叠层,一体化层压形成填充有可挥发填充材料的凹坑单元;通过凹坑单元表面上涂敷的机粘接剂,将顶部单元叠在凹坑单元上,采用低温低压方式形成整体模块,然后进入烧结阶段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十研究所,未经中国电子科技集团公司第十研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310399982.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶闸管快换冷却固定装置
- 下一篇:MOS管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造