[发明专利]一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极

摘要

一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，Ag薄膜层为应力缓冲层，厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜；该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力，这种复合结构的背电极电阻率比较低，其反射率比较高，对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。

主权项

一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，其特征在于：该背电极用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底（PI）、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，薄膜厚度为50‑80nm；Ag薄膜层为应力缓冲层，薄膜厚度为50‑80nm；厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜，第一层Mo薄膜厚度为100‑200nm，第二层Mo薄膜厚度为600‑700nm。