[发明专利]超级结器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，P和N型薄层的底部都和底部的N+硅衬底接触。N型薄层包括两种，两种N型薄层都包括中间的高电阻部分和两侧的低电阻部分，第一种N型薄层和P型薄层的电荷平衡；第二种N型薄层的高电阻率部分较宽，且第二种N型薄层和P型薄层的电荷不平衡。P型薄层对第二种N型薄层横向耗尽后，随着反向偏压的增加N型薄层顶部的P阱对第二种N型薄层的高电阻率部分进行逐渐扩展的纵向耗尽。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向恢复特性，且比导通电阻较低，能改善器件特性对沟槽工艺的依赖性。

主权项

一种超级结器件，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周；其特征在于：电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，在所述N型薄层和所述P型薄层的顶部形成有P阱；所述电流流动区的所述N型薄层和所述P型薄层的底部和N+硅衬底接触；所述N型薄层包括高电阻率部分和低电阻率部分，所述高电阻率部分为所述N型薄层的中间部分，所述低电阻率部分位于所述高电阻率部分的两侧且和邻近的所述P型薄层相接触；所述高电阻率部分和所述低电阻率部分的电阻率之比大于5:1；所述N型薄层和其邻近的所述P型薄层的电荷不平衡，所述N型薄层的所述低电阻率部分和其邻近的所述P型薄层的电荷平衡；所述N型薄层的低电阻率部分的N型载流子数大于所述P型薄层的P型载流子数，从而保证所述N型薄层和其邻近的所述P型薄层的电荷不平衡，所述N型薄层的低电阻率部分的N型载流子数减去所述P型薄层的P型载流子数的差值要小于所述N型薄层的低电阻率部分的N型载流子数的10％、以及小于所述P型薄层的P型载流子数的10％；所述N型薄层和所述P型薄层之间连接反偏电压的条件下，所述低电阻率部分和所述P型薄层之间形成横向耗尽区，所述高电阻率部分不被所述P型薄层完全横向耗尽而在所述高电阻率部分中具有不和所述P型薄层形成横向耗尽区的区域，所述高电阻率部分的未被所述P型薄层横向耗尽的部分和所述P阱之间形成纵向耗尽区；在反偏电压增加时，所述P阱对所述高电阻率部分的纵向耗尽形成的纵向耗尽区的深度增加。