[发明专利]超级结器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，N型薄层包括两种，两种N型薄层都包括中间的高电阻部分和两侧的低电阻部分，第一种N型薄层和P型薄层的电荷平衡；第二种N型薄层的高电阻率部分较宽，且第二种N型薄层和P型薄层的电荷不平衡。P型薄层对第二种N型薄层横向耗尽后，随着反向偏压的增加N型薄层顶部的P阱对第二种N型薄层的高电阻率部分进行逐渐扩展的纵向耗尽。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向恢复特性，且比导通电阻较低。

主权项

一种超级结器件，超级结器件的中间区域为电流流动区，终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周；其特征在于：电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，在所述N型薄层和所述P型薄层的顶部形成有P阱；所述N型薄层包括第一种N型薄层和第二种N型薄层；所述第一种N型薄层包括第一高电阻率部分和第一低电阻率部分，所述第一高电阻率部分为所述第一种N型薄层的中间部分，所述第一低电阻率部分位于所述第一高电阻率部分的两侧且和邻近的所述P型薄层相接触；所述第一种N型薄层和其邻近的所述P型薄层的电荷平衡，且所述第一种N型薄层的N型载流子数和所述P型薄层的P型载流子数的差值要小于等于所述第一种N型薄层的N型载流子数的10%、以及小于等于所述P型薄层的P型载流子数的10%；所述N型薄层和所述P型薄层之间连接反偏电压时，第一种N型薄层和其邻近的所述P型薄层之间能互相完全横向耗尽或非完全横向耗尽，非完全横向耗尽时所述第一种N型薄层或所述P型薄层的未被横向耗尽的载流子数不超过所述第一种N型薄层剂量的10%、以及不超过所述P型薄层剂量的10%；所述第二种N型薄层包括第二高电阻率部分和第二低电阻率部分，所述第二高电阻率部分为所述第二种N型薄层的中间部分，所述第二低电阻率部分位于所述第二高电阻率部分的两侧且和邻近的所述P型薄层相接触；所述第二高电阻率部分和所述第二低电阻率部分的电阻率之比大于5:1；所述第一高电阻率部分和所述第二高电阻率部分的电阻率相同，所述第一低电阻率部分和所述第二低电阻率部分的电阻率相同，所述第二高电阻率部分的宽度大于所述第一高电阻率部分的宽度；所述第二种N型薄层和其邻近的所述P型薄层的电荷不平衡，所述N型薄层和所述P型薄层之间连接反偏电压的条件下、所述第二低电阻率部分能被邻近的所述P型薄层完全横向耗尽，所述第二高电阻率部分不能被所述P型薄层完全横向耗尽，所述第二高电阻率部分的未被所述P型薄层横向耗尽的部分和所述P阱之间形成纵向耗尽；在反偏电压增加时，所述P阱对所述第二高电阻率部分的纵向耗尽的深度增加。