[发明专利]在低电压操作期间禁用高速缓存部分有效
| 申请号： | 201310376165.4 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103455441A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | C.威尔克森;M.M.克拉;V.德;M.张;J.阿韦拉;J.卡雷特罗卡萨多;P.查帕罗蒙费雷尔;X.贝拉;A.冈萨莱斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08;G06F1/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨美灵;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的名称为在低电压操作期间禁用高速缓存部分，描述了涉及在低电压操作期间禁用一个或多个高速缓存部分的方法和装置。在一些实施方式中，用于部分高速缓存的一个或多个附加位，指示所述部分高速缓存在Vccmin电平或小于Vccmin电平是否可操作。也描述并请求保护了其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 操作 期间 禁用 高速缓存 部分 | ||
【主权项】：
一种处理器，包括：高速缓存，所述高速缓存具有多个高速缓存线集合；置换逻辑，所述置换逻辑用于在超低功率模式（ULPM）中检测对高速缓存线集合的访问，并且用于在所述ULPM中至少部分基于对应于所述高速缓存线集合的第一路的高速缓存线的一个或更多的禁用位来逐出所述第一路的所述高速缓存线，但是并不用于在所述ULPM中至少部分基于对应于所述高速缓存线集合的第二路的高速缓存线的一个或更多的禁用位来逐出所述第二路的所述高速缓存线，其中所述ULPM使用超低电压电平来以低于所述高速缓存的所有存储单元可靠地操作所处的最小电压电平的电压访问高速缓存线。
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