[发明专利]一种磁场自组装法制备钴纳米线的方法无效

专利信息
申请号: 201310372337.0 申请日: 2013-08-24
公开(公告)号: CN103464775A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 廖立;黎明;谢克难 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种金属钴纳米线的化学制备方法,涉及钴纳米线的制备。本发明采用磁场自组装法在无模板的前提下制备钴纳米线,其特点是利用外加磁场对磁性钴颗粒的约束作用,实现自组装,使其一维取向生长,在纯水相中制备钴纳米线。采用本发明制备的钴纳米线直径为100~1000nm,长度为10.0~80.0μm,长径比达到10~200,其成分为纯钴。本发明提供的钴纳米线制备方法具有无需预先制备模板、反应条件温和、原料易得、工艺过程简单、产品形貌规整的优点。
搜索关键词: 一种 磁场 组装 法制 纳米 方法
【主权项】:
一种金属钴纳米线的化学制备方法,其特征在于,具体步骤为:以去离子水作为溶剂,按钴离子浓度0.01~0.3 mol·L‑1、络合剂浓度 0.01~0.3mol·L‑1配制溶液,充分混合均匀后用NaOH溶液调节溶液pH值至9~13;按上述方法配制好的反应初始溶液置于外加均匀磁场中,加热至50~100℃,加入还原剂,反应30~90分钟;至反应完毕,用永磁铁或离心机分离溶液和钴纳米线,分别用去离子水、无水乙醇和丙酮依次洗涤钴纳米线2次,真空干燥,收集产品。
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