[发明专利]具有垂直磁性隧道结的磁性器件在审
| 申请号： | 201310366932.3 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103633240A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴世忠;金基雄;金英铉;金晥均;朴相奂 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 磁性 隧道 器件 | ||
【主权项】：
一种磁性存储器件，包括：下部电极；下部电极之上的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒；和磁性隧道结之上的上部电极，其中自由层结构与钉扎层结构中的每一个都包括具有本征平面内磁化特性的平面内层和对于平面内层诱发垂直磁化特性的垂直磁化诱发层，其中自由层结构的垂直磁化诱发层包括非磁性金属氧化物层，而钉扎层结构的垂直磁化诱发层包括交换耦合层和具有本征垂直磁化特性的垂直层，其中交换耦合层具有以这样的方式选择的厚度，即，该厚度使得钉扎层结构的垂直层和平面内层经受它们之间的反铁磁交换耦合。
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