[发明专利]用于鳍式场效应晶体管的浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310365613.0 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425339B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于鳍式场效应晶体管的浅沟槽隔离结构的形成方法，包括提供衬底；在衬底上形成具有多个第一开口的第一硬掩模层，第一开口的底部暴露衬底，第一开口定义鳍部的位置；在第一硬掩模层上形成牺牲层，牺牲层覆盖第一硬掩模层、填充满第一开口；在第一硬掩模层和牺牲层中形成第二开口，第二开口的底部暴露衬底，第二开口定义沟槽的位置；以第一硬掩模层为掩模刻蚀牺牲层和衬底，在衬底中形成对应第一开口位置的第三开口、形成对应第二开口位置的沟槽，相邻两个第三开口之间的衬底作为鳍部；在沟槽中形成介电材料。鳍部和沟槽为在同一刻蚀过程、同一刻蚀条件下形成，不需要图形化的步骤，使得鳍部、沟槽的侧壁形貌较佳，且沟槽具有较大深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于鳍式场效应晶体管的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成具有多个第一开口的第一硬掩模层，所述第一开口的底部暴露衬底，所述第一开口定义鳍部的位置；在所述第一硬掩模层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖第一硬掩模层、填充满第一开口；在所述第一硬掩模层和牺牲层中形成第二开口，所述第二开口的底部暴露衬底，所述第二开口定义沟槽的位置；以第一硬掩模层为掩模刻蚀所述牺牲层和衬底，在所述衬底中形成对应第一开口位置的第三开口、形成对应第二开口位置的沟槽，相邻两个第三开口之间的衬底作为鳍部；在所述沟槽中形成介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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