[发明专利]太阳能电池背场激光PN隔离工艺有效
| 申请号： | 201310361564.3 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN103400905A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁兴芳;冯强;王步峰 | 申请（专利权）人： | 润峰电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 杨琪 |
| 地址： | 277600 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池背场激光PN隔离工艺，包括步骤：前清洗制绒、扩散、PN隔离、后清洗、等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅、丝网印刷烧结、测试分选；所述PN隔离采用激光刻蚀，具体方法是：在太阳能电池的背面，利用光纤激光器以100～120mm/s的刻线速率围绕硅片的背面表面进行边缘刻槽，所述刻槽离硅片的边缘距离为0.5mm，刻槽深度为10～15μm，从而实现PN隔离。本发明使用激光隔离代替传统的湿法刻蚀工艺，并且对传统激光刻蚀的工艺进行了改善，完全可以满足太阳能电池生产过程中去除边缘PN结的工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 激光 pn 隔离工艺 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池背场激光PN隔离工艺，其特征在于，包括步骤：前清洗制绒、扩散、PN隔离、后清洗、等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅、丝网印刷烧结、测试分选；所述PN隔离采用激光刻蚀，具体方法是：在太阳能电池的背面，利用光纤激光器以100～120mm/s的刻线速率围绕硅片的背面表面进行边缘刻槽，所述刻槽离硅片的边缘距离为0.5mm，刻槽深度为10～15μm，从而实现PN隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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