[发明专利]浅沟槽隔离工艺有效
| 申请号： | 201310354616.4 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103400795A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;杨渝书;秦伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层，并进行氧化物填充。本发明通过优化浅沟槽隔离刻蚀的工艺程式，减小硬掩模线宽，同时对沟槽顶端尖角的圆滑化处理可以保持有源区线宽不变，达到了与硬掩模回刻工艺相同的效果。因此，通过刻蚀过程的精确控制，就可以省掉硬掩模回刻工艺以及掩模回刻工艺后的清洗步骤，节省了工艺步骤，并降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离工艺，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底由下向上依次包括硅衬底、垫氧层和SiN层；对衬底进行光刻处理，形成第一道较浅沟槽；对所述第一道较浅沟槽进行圆角化处理，形成浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁生成薄氧化层，并进行氧化物填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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