[发明专利]高强度阻尼镁合金无效
申请号: | 201310351845.0 | 申请日: | 2013-08-13 |
公开(公告)号: | CN103484742A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 付彭怀;高菲;彭立明;王迎新;蒋海燕;丁文江 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C22C23/06 | 分类号: | C22C23/06;B22D7/00;B21C23/02;C22F1/06 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 牛山;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种高强度阻尼镁合金,所述镁合金的组分及其质量百分比为:14~18wt.%Gd,0.2~5wt.%Y,0.6~2wt.%Al,0~0.1wt.%Zr,杂质元素Si、Fe、Cu和Ni的总量小0.02wt.%,余量为Mg。本发明通过加入A1元素与Gd、Y等稀土元素(RE)在合金中原位反应生成Al-RE金属间化合物的方法达到晶粒细化的目的,所获得的镁合金晶粒热稳定好,具有优良的强度和延伸率;通过引入Al-RE金属间化合物与镁基体的界面阻尼机制,合金同时具有良好的阻尼性能,是一种高强度阻尼镁合金。该种高强度阻尼镁合金可以通过常规铸造和塑性加工成型,成型性能优良。 | ||
搜索关键词: | 强度 阻尼 镁合金 | ||
【主权项】:
一种高强度阻尼镁合金,其特征在于,所述镁合金包含如下重量百分比的各组分:Gd 14~18%,Y 0.2~5%,Al 0.6~2%,Zr 0~0.1%,杂质小于0.02%,余量为镁。
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