[发明专利]TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法有效
| 申请号： | 201310351613.5 | 申请日： | 2013-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103400937A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李长明;孙柏;谷爽 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y10/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。本发明制备的TiO2/SnO2复合纳米棒阵列结构的电阻开关能够实现较好的室温电阻开关特性，并且在低温下有更大的电阻开关效应，而且循环稳定性良好，能够用于制备电阻开关式非挥发性存储器的原始模型。 | ||
| 搜索关键词： | tio sub sno 复合 纳米 电阻 开关 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1）通过水热法在导电基片上直接生长TiO2/SnO2复合纳米棒阵列；2）将步骤1）得到的生长有TiO2/SnO2复合纳米棒阵列的导电基片在200～800℃下退火1～5小时，得到TiO2/SnO2复合纳米棒电阻开关。
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