[发明专利]可挠性基板的表面处理方法无效
| 申请号： | 201310340205.X | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103871971A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 詹立雄;林怀正;江明盛;王志诚 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种可挠性基板的表面处理方法，其中包括提供可挠性绝缘基板，该可挠性绝缘基板的表面上具有至少一个缺陷；以及对该可挠性绝缘基板进行等离子体刻蚀步骤，以圆滑化缺陷的轮廓，进而可提升后续制造工艺合格率及产品可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 可挠性基板 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种可挠性基板的表面处理方法，其特征在于包括：提供可挠性绝缘基板，该可挠性绝缘基板的表面上具有至少一个缺陷；以及对该可挠性绝缘基板进行等离子体刻蚀步骤，以圆滑化该缺陷的轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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