[发明专利]微环谐振腔内嵌FP腔的光学生化传感芯片有效
申请号: | 201310330534.6 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN103575698B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 王卓然;袁国慧;高亮 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明为了解决某些生物化学物质的探测问题,提出了一种微环谐振腔内嵌FP腔的光学生化传感芯片,该芯片在SOI基体的单晶硅层上包含输入/输出直波导和第一谐振腔,第一谐振腔为环状波导构成的微环谐振腔,在微环谐振腔的环状波导上还包含光栅FP腔,FP腔的光栅被刻蚀在所述微环谐振腔的环状波导上。通过采用上述结构,本发明的光学生化传感芯片在达到相同传感性能的条件下,减小光学生化传感芯片的体积,有利于实现光学生化传感器的微型化与片上传感系统。可用于生物大分子(蛋白质或者是DNA)液体样本探测和气体分子检测。与其他的生化传感芯片相比具有制作工艺标准化、便于集成化、传感性能优良及适用范围广等一系列特点。 | ||
搜索关键词: | 谐振腔 fp 光学 生化 传感 芯片 | ||
【主权项】:
微环谐振腔内嵌FP腔的光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体,其特征在于,所述SOI基体的单晶硅层包含输入直波导、输出直波导和第一谐振腔,所述第一谐振腔为环状波导构成的微环谐振腔,所述微环谐振腔分别与输入直波导和输出直波导耦合连接,在微环谐振腔的环状波导上还包含光栅FP腔,所述光栅FP腔包含第一光栅和第二光栅,所述第一光栅和第二光栅被刻蚀在所述微环谐振腔的环状波导上,所述微环谐振腔与光栅FP腔具有不相同的自由光谱范围,二者光学耦合连接,所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为光栅FP腔;所述第一光栅或第二光栅包括不少于5个不多于30个周期单元,光栅周期单元的横向长度占长方形SOI基体宽度的比例为1:1。
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