[发明专利]一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310316077.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN103367639A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 赖云锋;王玉柱;程树英;林培杰;章杰;周海芳;俞金玲;张红;贾宏杰 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 纳米 功耗 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，其特征在于，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。
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