[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310314204.8 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN103684394B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 岩渕胜 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 温旭;郝传鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及解决下述问题:在能够通过将石英振荡器连接至与I/O端口连接的外部端子来产生时钟信号的半导体装置中,处于非激活状态的I/O端口的漏电流干扰时钟的启动。半导体装置具有第一端子、与该第一端子连接的放大电路、以及输出缓冲器,该输出缓冲器的输出端子与所述第一端子连接。所述输出缓冲器具有通过第一电源配线和输出端子之间的第一节点串联的第一导通类型的第一晶体管和第二晶体管,并且响应共同施加至所述第一晶体管和第二晶体管各自的栅极的第一控制信号而控制所述第一导通类型的第一晶体管和第二晶体管的导通状态。
搜索关键词: 晶体管 半导体装置 输出缓冲器 端子连接 输出端子 导通 产生时钟信号 第一控制信号 非激活状态 石英振荡器 导通状态 电源配线 放大电路 节点串联 外部端子 漏电流 施加 响应
【主权项】:
1.一种半导体装置, 包括:第一端子;与所述第一端子连接的放大电路;输出缓冲器,该输出缓冲器的输出端子与所述第一端子连接;其中,所述输出缓冲器具有第一导通类型的第一晶体管和所述第一导通类型的第二晶体管,该第一晶体管的源极和漏极分别与第一电源配线和第一节点连接,该第二晶体管的源极和漏极分别与所述第一节点和所述输出端子连接,以及其中,响应共同施加至所述第一晶体管和第二晶体管各自的栅极的第一控制信号而控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通状态。
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