[发明专利]一种工业硅造渣除硼的方法有效
| 申请号： | 201310309671.1 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103570023B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 吴志能;李建霖;林晓军;庞爱锁;肖艳苹;赵龙 | 申请（专利权）人： | 东莞东阳光科研发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523871 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及冶金法多晶硅提纯技术领域，特别是涉及一种工业硅造渣除硼工艺。其技术方案是含硫酸钠的造渣剂与工业硅反应，使工业硅中的B被氧化，并形成多元渣相，再通过渣金分离得到B含量小于0.3ppmw的低硼工业硅。本发明工艺简单，成本低，便于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业 造渣 方法 | ||
【主权项】：
一种工业硅造渣除硼的方法，其特征是：选取工业硅料，加热至全部熔化成硅熔体，然后加入含硫酸钠造渣剂，经间歇式搅拌和保温反应后除渣，渣金分离后得到提纯后的硅；含硫酸钠的造渣剂，其中Na2SO4的质量百分含量为10％‑50％，含Ca的化合物的质量百分含量为28％‑60％，余量为SiO2。
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