[发明专利]一种背抛光太阳能电池工艺

摘要

一种背抛光太阳能电池工艺制备：包括：(1)选取P型多晶硅片，进行背表面抛光制备；(2)进行表面绒面制备；(3)磷扩散形成前表面场；(4)去除磷硅玻璃；(5)前表面沉积氮化硅膜；(6)丝网印刷背电极、铝背场及正电极；(7)烧结。

主权项

一种背抛光太阳能电池工艺制备：包括：(1)选取P型多晶硅片，进行背表面抛光制备；对于P型多晶硅片，采用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液对硅片进行抛光，浓度为70％的HNO₃和浓度为50％的HF以体积比10～12∶1的混合液。(2)进行表面绒面制备；P型硅片，采用氢氟酸(HF)，硝酸(HNO₃)混合液对硅片进行制绒，浓度为70％的HNO₃和浓度为50％的HF以体积比4～3∶1的混合液。(3)磷扩散形成前表面场；将制绒后硅片采用三氯氧磷液态磷源进行管式扩散形成前表面场。(4)去除磷硅玻璃；将磷扩散后的硅片浸入体积百分含量为5％的氢氟酸(浓度为50％)溶液中清洗去除磷扩散后的磷硅玻璃层。(5)前表面沉积氮化硅膜采用PECVD方法对前表面沉积双层氮化硅。(6)丝网印刷背电极、铝背场及正电极背电极、铝背场及正电极进行印刷及烘干，印刷增重要严格控制。(7)烧结前后表面金属进行一次烧结，形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。