[发明专利]基于光子晶体微结构衬底的高亮度OLED及其制作方法无效
| 申请号： | 201310300971.3 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103367655A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李阳;徐维 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭志强 |
| 地址： | 529020*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了基于光子晶体微结构衬底的高亮度OLED及其制作方法，通过采用纳米压印技术在OLED器件衬底上制备光子晶体微结构，由于光子晶体特有的光子禁带效应，可有效地增加器件出光耦合，从而提高器件的出光效率，最终达到提高器件亮度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 微结构 衬底 亮度 oled 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
基于光子晶体微结构衬底的高亮度OLED，包括玻璃衬底（1）并形成于阴极（2）和阳极（3）组成的两个电极之间的多个有机层（4），所述有机层有至少一个发光层（41），其特征在于：所述的玻璃衬底（1）上形成有一层由纳米压印光刻工艺制备而成的光子晶体微结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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