[发明专利]发光元件、发光装置、和电子装置有效

专利信息
申请号: 201310296573.9 申请日: 2007-03-08
公开(公告)号: CN103367654B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 大泽信晴;瀬尾哲史 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及发光元件,发光装置,和电子装置。本发明的一个目的是提供实现高对比度的发光元件。本发明的另一目的是通过使用具有优异对比度的发光元件而提供实现高对比度的发光装置。发光元件具有设置在第一电极和第二电极之间的包含发光物质层,和所述包含发光物质层包括发光层,包含第一有机化合物层,和包含第二有机化合物层。第一电极具有光传导性能,和所述包含第一有机化合物层和所述包含第二有机化合物层设置在第二电极和发光层之间。另外,第一有机化合物的颜色和第二有机化合物的颜色是互补的。
搜索关键词: 发光元件 有机化合物层 发光装置 发光物质层 有机化合物 第二电极 第一电极 电子装置 高对比度 发光层 光传导
【主权项】:
1.一种发光元件,包括:第一电极;第二电极;和包含第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层,其中第一层包含:发光层;包含第一有机化合物的第二层,第二层为N‑型半导体层;包含第二有机化合物的第三层,第三层为P‑型半导体层;和包含导电材料或半导体材料的第四层,其中第一电极具有光传导性能,其中第二层和第三层设置在第二电极和发光层之间,其中第四层设置在第二层和第三层之间,其中N‑型半导体层的颜色和P‑型半导体层的颜色是互补的,其中N‑型半导体层和P‑型半导体层在可见光区域各自具有吸收峰,其中当P‑型半导体层在大于或等于540nm和低于或等于760nm的波长区域内具有吸收峰时,N‑型半导体层在大于或等于380nm和低于540nm的波长区域内具有吸收峰,其中N‑型半导体层包含3,4,9,10‑苝四羧酸二酸酐,3,4,9,10‑苝四羧酸二酰亚胺,N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四羧酸二酰亚胺,1,4,5,8‑萘四羧酸二酸酐,或1,4,5,8‑萘四羧酸二酰亚胺中的任何物质,且其中P‑型半导体层包含酞菁,铜酞菁,锌酞菁,氧钒基酞菁,钛氧基酞菁,镍酞菁,并五苯,或6,13‑二苯基并五苯中的任何物质。
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