[发明专利]一种提高单晶硅出片率的切割工艺及其装置有效
| 申请号： | 201310296474.0 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103350460A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周炳利;谭鑫 | 申请（专利权）人： | 锦州阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种提高单晶硅出片率的切割工艺及其装置，该硅锭切割装置具有至少两个导轮和切割钢线，所述切割钢线经导轮表面的线槽螺旋环绕，所述线槽的形状为“U”形，所述导轮的表面设有纳米磁性材料聚氨酯层。工艺是：采用该硅锭切割装置，控制导轮的转速使切割钢线的线速度为480m/min～680m/min，进刀速度为0.28mm/min～0.32mm/min。优点是：工艺方法简单，操作方便，该装置可以增加对切割钢线具有吸附把持力，通过对切割速度、进刀速度工艺参数的控制，保证了切割过程的稳定，从而减少了钢线断线、跳线、片面的线痕发生率，提高了产品的成品率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶硅 出片率 切割 工艺 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种提高单晶硅出片率的切割工艺，其特征是：具体步骤如下：1.1、采用由导轮和切割钢线构成的硅锭切割装置，导轮表面的硬度≥96A，导轮表面的磁能积为180kJ/m3～450kJ/m3；1.2、控制导轮的转速使切割钢线的线速度为480m/min～680m/min，进刀速度为0.28mm/min～0.32mm/min，砂浆密度1.60g/cm3～1.70g/cm3。
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