[发明专利]一种提高单晶硅出片率的切割工艺及其装置

权利要求书

1.一种提高单晶硅出片率的切割工艺，其特征是：

具体步骤如下：

1.1、采用由导轮和切割钢线构成的硅锭切割装置，导轮表面的硬度≥96A，导轮表面的磁能积为180kJ/m³～450kJ/m³；

1.2、控制导轮的转速使切割钢线的线速度为480m/min～680m/min，进刀速度为0.28mm/min～0.32mm/min，砂浆密度1.60g/cm³～1.70g/cm³。

2.根据权利要求1所述的提高单晶硅出片率的切割工艺，其特征是：所述导轮表面的硬度为96A～97A，导轮表面的磁能积为270kJ/m³～380kJ/m³。

3.一种提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，具有至少两个导轮和切割钢线，所述切割钢线经导轮表面的线槽螺旋环绕，其特征是：所述线槽的形状为“U”形，所述切割钢线的直径为90μm～140μm，所述线槽的夹角为35°～70°，所述线槽的槽距为0.270mm～0.305mm，所述线槽的槽深为0.20mm～0.43mm，所述线槽的圆弧面半径为切割钢线半径的0.5倍～1.5倍，所述导轮的表面设有纳米磁性材料聚氨酯层。

4.根据权利要求3所述的提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，其特征是：所述线槽由进线端第一个线槽至出线端线槽的槽距依次递减，所述线槽的槽距为A-B*((n-1)/N)，其中，A是进线端第一个线槽的槽距、B值为0～12μm、N是总槽数、n是第n个槽数。

5.根据权利要求3所述的提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，其特征是：所述纳米磁性材料聚氨酯层的厚度为15mm～17mm。

6.根据权利要求3所述的提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，其特征是：所述线槽的夹角为50°～55°，线槽的槽距为0.285mm～0.295mm，线槽的槽深为0.21mm～0.28mm，线槽的槽底圆角半径为切割钢线半径的0.9倍～1.1倍。

7.根据权利要求3所述的提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，其特征是：所述纳米磁性材料聚氨酯层的材质为纳米磁性材料与聚氨酯的混合物。

8.根据权利要求3所述的提高单晶硅出片率的硅锭切割装置，其特征是：所述切割钢线的材质为高强度钢线或树脂金刚线或电镀金刚线。