[发明专利]用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法有效
| 申请号： | 201310292522.9 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103344151A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 朱朋;胡博;沈瑞琪;叶迎华;付帅;李东乐;梁振华 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13;H01T2/02 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法，所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO2绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比其显著优点：（1）开关尺寸小，制作成本低，利用MEMS（微机电系统）技术易于与爆炸箔起爆系统集成，实现爆炸箔起爆系统的微型化；（2）含肖特基结的开关触发电压低，能够抗杂散电流，具有一定的安全性，并且通过控制肖特基结的数量达到激发能量可控；（3）本开关为一次作用器件，满足爆炸箔起爆系统一次作用的特点，和传统的真空触发开关相比，提高了开关的使用率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 爆炸 起爆 肖特基结 平面 开关 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关，其特征在于，所述开关包括硅基衬底（1）、金属铜层（2）和肖特基结桥区层（7）；所述的硅基衬底（1）表面设置凹槽，所述凹槽被与硅基衬底（1）整体结构一体的隔线划分为三个，其中中间的凹槽为两端宽中间窄的桥形结构，宽的区域为桥基，窄的区域为桥区；两边的凹槽为对称结构且沿硅基衬底中线对称；在硅基底（1）上有一层防止漏电流的SiO2绝缘层，在凹槽内放置有与凹槽相互匹配的金属铜层（2），所述金属铜层分为四块，分别放置在两边凹槽和中间凹槽的桥基处；所述的肖特基结桥区层（7）放置在凹槽的桥区处。
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