[发明专利]用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法

权利要求书

1.一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关，其特征在于，所述开关包括硅基衬底（1）、金属铜层（2）和肖特基结桥区层（7）；所述的硅基衬底（1）表面设置凹槽，所述凹槽被与硅基衬底（1）整体结构一体的隔线划分为三个，其中中间的凹槽为两端宽中间窄的桥形结构，宽的区域为桥基，窄的区域为桥区；两边的凹槽为对称结构且沿硅基衬底中线对称；在硅基底（1）上有一层防止漏电流的SiO₂绝缘层，在凹槽内放置有与凹槽相互匹配的金属铜层（2），所述金属铜层分为四块，分别放置在两边凹槽和中间凹槽的桥基处；所述的肖特基结桥区层（7）放置在凹槽的桥区处。

2.根据权利要求1所述的用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关，其特征在于，所述的肖特基结桥区层（7）由桥区Al层（3）和桥区CuO层组成，所述桥区Al层（3）为若干中间有空隙的条状结构，所述桥区CuO层（4）由顶面为平面结构，底面为与桥区Al层（3）的条状结构相互配合的若干中间有空隙的条状结构组成。

3.根据权利要求1、2所述的用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关，其特征在于，所述的肖特基结桥区层（7）由桥区Al层和桥区ZnO或桥区MoO组成。

4.一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关的制备方法，其特征在于，所述的平面爆炸开关按以下步骤来制备：

第一步，对硅基衬底进行表面清洗，利用干法刻蚀法在硅基衬底表面刻蚀凹槽，然后在其表面上利用热氧化法生成一层SiO₂绝缘层；所述凹槽为被划分为三个，其中中间的凹槽为两端宽中间窄的桥形结构，宽的区域为桥基，窄的区域为桥区；两边的凹槽为对称结构且沿硅基衬底中线对称；

第二步，利用光刻剥离工艺和磁控溅射技术在两边凹槽和中间凹槽的桥基处沉积金属铜层；

第三步，利用光刻剥离工艺和磁控溅射技术在中间凹槽的桥区处沉积桥区Al层，所述桥区Al层为若干中间有空隙的条状结构，桥区Al层与桥基处的金属铜层相连；

第四步，利用光刻剥离工艺和磁控溅射技术在桥区Al层的空隙处沉积桥区CuO层；

第五步，覆有肖特基结开关的基片经划片、焊丝、封装后，制备得到用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关。

5.根据权利要求4所述的肖特基结平面爆炸开关的制备方法，其特征在于，桥区Al层、桥区CuO层中Al/CuO的量按完全发生化学反应的摩尔比2:3配比。