[发明专利]基于CMOS DPTM工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201310287883.4 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103342333A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 孟如男;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01J5/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于CMOSDPTM工艺的红外热电堆型传感器及其制作方法，包括硅基底和位于硅基底上的封闭膜区域，其特征是：封闭膜区域自底层向上依次为第一介质层、第二介质层、第三介质层和第四介质层，在介质层之间设置第一多晶硅层和第二多晶硅层，在第二介质层和第三介质层之间设置第一金属层，在第三介质层和第四介质层之间设置第二金属层，在第四介质层的表面设置第三金属层；在所述第二介质层和第三介质层上分别设置第一通孔和第二通孔；在所述封闭膜区域上设置腐蚀通道，在封闭膜区域下方的硅基底上刻蚀形成空腔。本发明利用CMOS技术中多晶硅层和金属层来加工微机械结构，该工艺实现了MEMS器件的低成本制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos dptm 工艺 红外 热电 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS DPTM工艺的红外热电堆型传感器，包括硅基底（1）和位于硅基底（1）上的封闭膜区域（101），其特征是：封闭膜区域（101）自底层向上依次为第一介质层（3‑1）、第二介质层（3‑2）、第三介质层（3‑3）和第四介质层（3‑4），在第一介质层（3‑1）和第二介质层（3‑2）之间设置第一多晶硅层（4‑1），在第二介质层（3‑2）和第三介质层（3‑3）之间设置第一金属层（5‑1），在第三介质层（3‑3）和第四介质层（3‑4）之间设置第二金属层（5‑2），在第四介质层（3‑4）的表面设置第三金属层（5‑3）；在所述第二介质层（3‑2）和第三介质层（3‑3）上分别设置第一通孔（8‑1）和第二通孔（8‑2），第一通孔（8‑1）中设置钨塞连接第一多晶硅层（4‑1）和第一金属层（5‑1），第二通孔（8‑2）中设置钨塞连接第一金属层（5‑1）和第二金属层（5‑2）；在所述封闭膜区域（101）上设置腐蚀通道（9），腐蚀通道（9）由第三金属层（5‑3）延伸至硅基底（1）的上表面；在所述封闭膜区域（101）下方的硅基底（1）上刻蚀形成空腔（2）。
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