[发明专利]硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用有效
| 申请号： | 201310287086.6 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367474B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张铭;李青柳;严辉;王如志;汪浩;王波;侯育冬;朱满康;宋雪梅;刘晶冰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0256 | 分类号： | H01L31/0256;H01L31/042;C01B33/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20‑200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1‑0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 作为 太阳能电池 表面 结构 应用 | ||
【主权项】：
将硅纳米管阵列微纳结构作为太阳能电池的减反陷光层的应用，其中硅纳米管的外半径为20‑200nm，内外径之比小于1，长径比大于10；其中填充率计算公式为：其中r2、r1分别为硅纳米管的外半径和内半径，d为相邻两硅纳米管的中心距；其中阵列填充率为0.2，内外径之比大于0.4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
