[发明专利]一种CVD法合成氮化硅纳米环的方法有效
| 申请号： | 201310286829.8 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103318857A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 杜红莉;高爱舫 | 申请（专利权）人： | 石家庄经济学院 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 050000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CVD法合成氮化硅纳米环的方法。将硅粉和二氧化硅粉按摩尔比1:1混合均匀，得到混合粉料；将混合粉料置于真空空间内，按气体流量体积比为1:5~5:1通入氮气和氨气作为氮化反应气体，所述氮化反应气体的气氛流量为50~200sccm；升温至1200~1400℃并保温2~6h，制得氮化硅纳米环，自然冷却即可。本发明与现有技术相比，制备氮化硅纳米环时不需要添加催化剂，因此后续无需进行提纯工艺；且制备工艺简单，所需原料易于获得，成本较低，可适用于工业化规模生产，因此本发明是一种简便高效制备氮化硅纳米环的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 合成 氮化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种CVD法合成氮化硅纳米环的方法，其特征是，包括如下步骤：a、将硅粉和二氧化硅粉按摩尔比1:1混合均匀，得到混合粉料；b、将混合粉料置于真空空间内，按气体流量体积比为1:5~5:1通入氮气和氨气作为氮化反应气体，所述氮化反应气体的气氛流量为50~200sccm；c、升温至1200~1400℃并保温2~6h，制得氮化硅纳米环，自然冷却即可。
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