[发明专利]一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层生长前硅片进行清洗保证表面清洁且使用HCl抛光工艺去除表面微损伤，抛光后使用H2进行除杂质处理。所述方法插入了反应室刻蚀步骤，保证外延层电阻率的均匀性和重复性，从而保证了器件的性能和成品率。

主权项

一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）第一层硅外延片生长：将衬底硅片装载入反应室，采用质量转移多晶硅背封技术，在高温下进行长时间HCl腐蚀，腐蚀温度1170‑1190℃，时间90‑150s，然后在腐蚀后的衬底硅片之上生长第一层硅外延层，生长温度为1190‑1210℃，第一层硅外延层的厚度比目标厚度要厚0.1‑0.2μm，为第二层硅外延层生长HCl去除留出余量；（2）降温到室温取出上述硅片，使用SC1+SC2溶液对硅片表面进行清洗；（3）第二层硅外延片生长：将上述硅片装载入反应室，升温到HCl所需温度1140‑1160℃，对第一层硅外延片进行表面抛光，抛光厚度为0.1‑0.2μm，抛光后为清除滞留层中存在的杂质，采用高温大流量H2和正常流量H2交替变化的方法进行吹除，使硅片的近表面层杂质形成杂质耗尽，吸附在硅片和基座上的杂质有足够的能量逃逸出去，去除杂质完成后直接在第一层硅外延片上生长第二层硅外沿片，然后降温取出硅片。