[发明专利]光罩、玻璃基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201310283371.0 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103345118A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 柴立 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光罩，该光罩包括阻光区、透光区以及部分透光区，该部分透光区突出于阻光区边缘，以允许部分紫外线透过。本发明还提供了一种玻璃基板及其制造方法。本发明通过在阻光区的边缘设置部分透光区，使得光阻在显影后形成小角度坡面过渡，从而使得后续的蚀刻步骤中，薄膜的边缘形成小角度坡面过渡，以保证交迭于其上的次道薄膜易于形成，薄膜在爬坡处不易断裂，ITO层在过孔处不易断裂，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光罩，包括阻光区和透光区，其特征在于：所述光罩还包括部分透光区，所述部分透光区突出于所述阻光区边缘，以允许部分所述紫外线透过。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310283371.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
