[发明专利]电荷补偿半导体器件有效
| 申请号： | 201310280646.5 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531614A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;H.维伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及电荷补偿半导体器件。提供了一种半导体器件。半导体器件包括半导体主体和设置在半导体主体上的源极金属化部。在截面中，半导体主体包括：第一导电类型的漂移区、邻接漂移区的第二导电类型的第一主体区、第二导电类型的第一补偿区和第一电荷陷阱，其中第一补偿区邻接第一主体区，具有比第一主体区更低的最大掺杂浓度并且与漂移区形成第一pn结。第一电荷陷阱邻接第一补偿区并且包括场板和绝缘区，该绝缘区邻接漂移区并部分包围场板。源极金属化部设置为与第一主体区电阻电连接。进一步，提供了一种用于制作半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 补偿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体主体，在第一截面中包括： 第一导电类型的漂移区； 邻接所述漂移区的第二导电类型的第一主体区； 第二导电类型的第一补偿区，所述第一补偿区邻接所述第一主体区，具有比所述第一主体区更低的最大掺杂浓度并且与所述漂移区形成第一pn结；和 第一电荷陷阱，邻接所述第一补偿区并且包括场板和绝缘区，所述绝缘区邻接所述漂移区并部分包围所述场板；以及源极金属化部，设置在半导体主体上并且与所述第一主体区电阻电连接。
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