[发明专利]一种背面结构的保护方法

摘要

本发明提供一种背面结构的保护方法，该方法是在圆片背面生长保护层以保护圆片背面结构，其具体步骤为：提供圆片，其具有背面结构；在所述圆片背面生长或淀积一层氧化层；在所述圆片背面的氧化层上淀积一层氮化硅层；接后续工艺流片。与现有技术相比，本发明的方法通过在圆片背面生长保护层来到达保护圆片背面的目的，本发明利用氮化硅层作为保护的最外层，其是利用杂质在氮化硅中扩散率较低和不易氧化的特性，保护圆片背面结构不受其他工艺过程的影响。本发明工艺简单、易于实现、且控制精度高，能很好的保护晶圆背面结构而又不影响正面，本发明工艺简单、易于实现、且控制精度高，能很好的保护晶圆背面结构而又不影响正面。

主权项

1.一种背面结构的保护方法，该方法是在圆片背面生长保护层以保护圆片背面结构，其具体步骤为：步骤一：提供半导体圆片，其具有背面结构，其中，具有背面结构的半导体圆片制作工艺包括具有半导体圆片的背面注入或背面光刻工艺；步骤二：在步骤一所述半导体圆片背面生长或淀积一层氧化层；步骤三：在步骤二中所述半导体圆片背面的氧化层上淀积一层氮化硅层，所述氮化硅层作为圆片背面的最外面保护层；步骤四：接后续工艺流片。