[发明专利]一种非挥发阻变存储器在审
| 申请号： | 201310276651.9 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103337250A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吴迪;温峥;李爱东;李晨;闵乃本 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于铁电隧道结的非挥发阻变存储器，其特征在于，该铁电隧道结以半导体为底电极，具有金属/铁电体/半导体结构。
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