[发明专利]一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法在审
| 申请号： | 201310266359.9 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104253039A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵高辉;姜国伟;牟善勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，该方法包含以下步骤：1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。本发明通过在进行薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先喷射反应气体，使晶圆在工艺开始前先缓慢升温，并在工艺完成后持续对晶圆平射反应气体，使晶圆在工艺完成后缓慢降温，实现晶圆在整个工艺过程中柔和形变，以降低晶圆破损率，破损率有现有技术的1%降低至0.1%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 破损 薄晶圆 背面 金属 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种降低晶圆破损率的薄晶圆背面金属溅射方法，该方法适用于在晶圆上生长金属层的工艺，其特征在于，该方法包含以下步骤：步骤1、薄晶圆背面金属溅射工艺开始前预先对晶圆喷射反应气体，使晶圆开始缓慢升温；步骤2、进行薄晶圆背面金属溅射工艺；步骤3、薄晶圆背面金属溅射工艺完成后，持续对晶圆喷射反应气体，使晶圆缓慢降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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