[发明专利]GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201310264489.9 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103368073A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;顾溢;张永刚;宋禹忻;叶虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达1.3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 衬底 实现 1.3 微米 附近 发光 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构，该量子阱结构采用InxGa1‑xAs1‑yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1‑zAs作为量子阱的垒层材料，阱层材料的厚度为5‑10nm，其中0.4≤x≤0.5，0.005≤y≤0.02，0≤z≤0.3。
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