[发明专利]一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法有效
| 申请号： | 201310264149.6 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103320799A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 胡天存;崔万照;张洪太;贺永宁 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C25F3/04;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，特别涉及一种通过电化学腐蚀方法来抑制铝合金镀银表面的二次电子发射系数的方法，属于微放电技术领域。将微波部件内表面先用酸溶液进行阳极氧化处理，在微波部件内表面形成多孔结构，然后利用化学溶液腐蚀的方法增大孔的口径，最后在微波部件内表面溅射沉积金或银等导电性好的金属，使得微波部件内表面既具有低二次电子发射系数，又具有良好的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 微波 部件 镀银 表面 二次电子 发射 系数 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：具体的步骤如下：1）用电解池即电化学腐蚀的方法在微波部件表面打孔；腐蚀电流：200～400mA/cm2，腐蚀时间为10～30s；电解液配方：HCl+K2Cr2O7+H2SO4（HCl0.5M～1.5M，K2Cr2O70.1M～0.5M，H2SO40.2M～0.6M），阳极材料为微波部件，所述的微波部件的材料为铝合金；阴极材料为石墨；2）将步骤1）得到的带有孔的微波部件进行进一步扩孔；扩孔采用电解池即电化学腐蚀的方法；腐蚀电流：10～50mA/cm2，腐蚀时间3～8min；电解液配方：0.01～0.05M的HCl；阳极材料为微波部件，阴极材料为石墨；3）在步骤2）得到的微波部件的孔的内表面磁控溅射铜层作为过渡层；然后在过渡层的表面磁控溅射银层，最后对微波部件进行真空热处理，得到镀银层表面二次电子发射系数低的微波部件。
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