[发明专利]一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法有效
| 申请号： | 201310264149.6 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103320799A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 胡天存;崔万照;张洪太;贺永宁 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C25F3/04;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 微波 部件 镀银 表面 二次电子 发射 系数 方法 | ||
1.一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：具体的步骤如下：
1）用电解池即电化学腐蚀的方法在微波部件表面打孔；
腐蚀电流：200～400mA/cm2，腐蚀时间为10～30s；
电解液配方：HCl+K2Cr2O7+H2SO4（HCl0.5M～1.5M，K2Cr2O70.1M～0.5M，H2SO40.2M～0.6M），阳极材料为微波部件，所述的微波部件的材料为铝合金；阴极材料为石墨；
2）将步骤1）得到的带有孔的微波部件进行进一步扩孔；扩孔采用电解池即电化学腐蚀的方法；
腐蚀电流：10～50mA/cm2，腐蚀时间3～8min；
电解液配方：0.01～0.05M的HCl；阳极材料为微波部件，阴极材料为石墨；
3）在步骤2）得到的微波部件的孔的内表面磁控溅射铜层作为过渡层；然后在过渡层的表面磁控溅射银层，最后对微波部件进行真空热处理，得到镀银层表面二次电子发射系数低的微波部件。
2.根据权利要求1所述的一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：步骤3）中磁控溅射银层后对微波部件的银层表面进行真空氮气清洗，真空度高于3×10-4Pa。
3.根据权利要求1所述的一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：步骤3）中溅射铜层时的溅射工艺参数为：Ar气流20sccm，溅射气压1.4Pa，溅射电流0.5A，电压280V，溅射时间10mins，溅射温度：室温。
4.根据权利要求1所述的一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：步骤3）中溅射银层时的溅射工艺参数为：Ar气流30sccm，溅射气压1.4Pa，溅射电流0.2A，电压260V，溅射时间10mins，溅射温度：室温。
5.根据权利要求1所述的一种抑制微波部件镀银层表面二次电子发射系数的方法，其特征在于：步骤3）中真空热处理的条件为：真空度高于2.5×10-4Pa，温度为200℃，时间为20mins。
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