[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

一种晶体管的形成方法，所述晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域表面形成第一伪栅结构以及位于所述第一伪栅结构两侧的第一源/漏极，在第二区域表面形成第二伪栅结构以及位于第二伪栅结构两侧的第二源/漏极；在半导体衬底表面形成介质层；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，形成第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽底部形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成盖帽层，第一凹槽和第二凹槽侧壁表面的盖帽层厚度小于第一凹槽和第二凹槽底部表面的盖帽层厚度；形成填充满第一凹槽的第一栅极和填充满第二凹槽的第二栅极。所述晶体管的形成方法可以提高晶体管的阈值电压稳定性。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域表面形成第一伪栅结构以及位于所述第一伪栅结构两侧的第一区域内的第一源/漏极，在所述第二区域表面形成第二伪栅结构以及位于所述第二伪栅结构两侧的第二区域内的第二源/漏极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖第一伪栅结构和第二伪栅结构；去除所述第一伪栅结构和第二伪栅结构，在所述第一区域表面形成第一凹槽，在所述第二区域表面形成第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽底部形成栅介质层；在所述栅介质层表面形成防止所述栅介质层受等离子作用而损伤的盖帽层，所述盖帽层覆盖第一凹槽和第二凹槽的侧壁和底部表面，并且第一凹槽和第二凹槽侧壁表面的盖帽层厚度小于第一凹槽和第二凹槽底部表面的盖帽层厚度，以降低所述盖帽层对晶体管的功函数的影响，提高所述晶体管的阈值电压的准确性；在所述的盖帽层上方形成填充满第一凹槽的第一栅极和填充满第二凹槽的第二栅极。