[发明专利]防止钨损失的半导体器件及相应的制造方法

摘要

本发明提供一种防止钨损失的半导体器件及其相应的制造方法，制造方法包括提供的一第一半导体器件至少分别包括由下至上形成于第一氧化层中的钨通孔、形成于钨通孔上的复合金属层、形成于复合金属层上的第二氧化层中的第二开槽、形成于第二氧化层上且具有暴露出第二开槽的窗口的光阻层；采用氧气等离子体灰化工艺去除光阻层；采用UV灯烘焙工艺对已去除光阻层后的第一半导体器件进行照射；用碱性溶液清洗已去除光阻层后的第一半导体器件的表面，由于UV灯烘焙工艺提高了氧气等离子体灰化工艺去除光阻层后残留的电荷的活跃性，使其逃逸，从而减少因残留的电荷离子与碱性溶液共同作用于钨通孔上的电荷效应而导致的钨损失的问题。

主权项

一种防止钨损失的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：步骤1，提供一第一半导体器件，所述第一半导体器件至少分别包括由下至上形成于第一氧化层中的钨通孔、形成于所述钨通孔上的复合金属层、形成于所述复合金属层上的第二氧化层中的第二开槽以及形成于所述第二氧化层上的光阻层，所述复合金属层覆盖部分所述钨通孔，所述第二氧化层覆盖所述第一氧化层、钨通孔以及复合金属层，所述光阻层具有暴露出所述第二开槽的窗口；步骤2，采用氧气等离子体灰化工艺去除光阻层；步骤3，采用UV灯烘焙工艺对已去除光阻层后的第一半导体器件进行照射，所述第二氧化层以及第二开槽暴露出的复合金属层直接接受UV灯照射；步骤4，用碱性溶液清洗已去除光阻层后的第一半导体器件的表面，形成防止钨损失的半导体器件。